A TSMC, multinacional taiwanesa do ramo de semicondutores, acredita que seu processo de fabricação de 2 nanômetros pode superar o 1,8 nm da Intel. A empresa defende que a tecnologia N3P (classe de 3 nm) terá características de desempenho equivalentes ao 18A da fabricante norte-americana, enquanto o N2P (classe de 2 nm) será superior.

O presidente-executivo da TSMC, C.C Wei, comentou sobre avanço da empresa nesse segmento revelando que testes internos feitos pelos engenheiros apontam para fortes aprimoramentos na performance da litografia. Com isso, fabricantes podem optar pelo “nó” da taiwanesa em vez de outras OEMs devido aos benefícios e vantagens econômicas.

“Nossa avaliação interna mostra que nosso N3P demonstrou desempenho de potência comparável ao 18A, a tecnologia do meu concorrente [Intel], mas com um tempo de lançamento no mercado mais cedo, melhor maturidade tecnológica e custo muito melhor”, disse o executivo durante a apresentação dos resultados da empresa.

“Nossa tecnologia de 2nm sem energia de backside (N2) é mais avançada do que N3P e 18A, e será a tecnologia mais avançada da indústria de semicondutores quando for introduzida em 2025.”, reforçou Wei. A tecnologia 20A criada pela Intel deve chegar ao mercado em meados de 2024 competindo diretamente com a modalidade da TSMC.

O 20A da Intel deve trazer transistores RibbonFET gate-all-around, bem como rede de entrega de energia backside (BSPDN), duas tecnologias projetadas para permitir maior desempenho, menor consumo de energia e maior densidade de transistores. Enquanto isso, a versão da taiwanesa deve incluir transistores FinFET.

Apesar do comunicado sobre a possível superioridade em termos de desempenho, a TSMC ainda não divulgou os números referentes a sua tecnologia, portanto ainda não é possível determinar exatamente a performance.